Micron inicia produção de memória DRAM avançada na Virgínia e expande fábrica para quadruplicar a produção, aliviando a escassez de DDR4 para os setores automotivo e de defesa

Micron anunciou nesta semana o início da fabricação de DRAM 1α (1-alpha) em sua instalação em Manassas, Virgínia. Essa novidade representa a primeira vez que a tecnologia de processo mais avançada e compatível com DDR4 do fabricante será produzida em solo americano. Com um investimento superior a 2 bilhões de dólares, apoiado por 275 milhões de dólares em financiamento do CHIPS and Science Act, a produção está prevista para ser iniciada até o final do ano.

Atualmente, a Micron é a única fabricante de memória nos Estados Unidos, e a fábrica em Manassas atende principalmente setores com ciclos de produto longos, como automotivo, defesa, aeroespacial, industrial, de rede e de dispositivos médicos.

Com o aumento da produção de DDR4, a Micron responde a uma oferta limitada do padrão de memória mais antigo. As principais fabricantes de DRAM estão redirecionando a capacidade de produção para DDR5, LPDDR5X e memória de alta largura de banda (HBM) para atender à demanda impulsionada por inteligência artificial. No entanto, a Micron já emitiu avisos de descontinuação para produtos DDR4 e LPDDR4 destinados a consumidores e centros de dados, e as últimas remessas para esses clientes estão programadas para serem finalizadas no início de 2026.

Essa decisão afetou indústrias com ciclos de produto prolongados, levando a S&P Global Mobility a estimar que os preços de contratos de DRAM automotivo poderão aumentar entre 70% e 100% em 2026, em comparação com os níveis de 2025. Além disso, os estoques de DDR4 para compradores automotivos e industriais diminuíram de mais de 31 semanas para apenas seis a oito semanas.

A introdução do nó de processo 1α, que possui uma densidade de bit cerca de 40% maior que o nó anterior 1z, foi inicialmente realizada nas fábricas de Taiwan da Micron em 2020. Essa tecnologia é notável por ser a primeira a atingir dimensões de célula abaixo de 15nm.

A mudança da produção para Virgínia cria uma linha de produção dedicada para DDR4 e LP4, que não competirá com os produtos focados em IA da Micron. A instalação também deverá gerar mais de 3.100 empregos diretos na fabricação e na comunidade.

O empreendimento em Virgínia faz parte de um plano mais amplo de investimento de 200 bilhões de dólares da Micron nos Estados Unidos. A empresa já começou a construção de um novo complexo de fabricação de memória em Clay, Nova York, e a primeira produção de wafers na nova fábrica em Idaho está prevista para meados de 2027. A Micron também se comprometeu a adicionar capacidades avançadas de embalagem de HBM em Virgínia assim que a capacidade suficiente de wafers de DRAM for estabelecida em suas outras instalações nos EUA.

Nos três locais, as estimativas indicam que os investimentos criarão cerca de 90.000 empregos diretos e indiretos.