A Intel está fazendo um retorno ao mercado de memórias, um setor que deixou de lado na década de 1980, e desta vez conta com o apoio da Saimemory, uma subsidiária do SoftBank. Juntas, as empresas anunciaram a criação da Z-Angle Memory (ZAM), uma nova tecnologia projetada para competir diretamente com a memória HBM (High Bandwidth Memory), amplamente utilizada em data centers de inteligência artificial.

O Que é a ZAM?

A ZAM busca superar as limitações da HBM, que embora seja rápida, é cara, aquece muito e possui capacidade restrita. O objetivo da nova memória é oferecer:

• 2 a 3 vezes mais capacidade do que a HBM.
• Metade do consumo de energia.
• Custo de produção 60% menor.

A inovação está no empilhamento de chips, utilizando a tecnologia proprietária da Intel chamada EMIB (Embedded Multi-Die Interconnect Bridge) e um novo método chamado “Next Generation DRAM Bonding” (NGDB). Isso possibilita a montagem vertical de mais chips DRAM, reduzindo a latência e criando um “bloco” de memória denso e eficiente.

A Estratégia de Longo Prazo

É importante ressaltar que a ZAM não estará disponível em servidores tão rapidamente. Trata-se de um projeto de longo prazo, com os primeiros protótipos funcionais planejados para 2027, e a produção em massa prevista apenas para 2029. O foco é suprir a crescente demanda da inteligência artificial, especialmente quando os modelos se tornarem grandes demais para que a HBM atual suporte de forma viável.

Além da tecnologia, o projeto também possui um forte componente geopolítico. Contando com o apoio de empresas japonesas como Fujitsu e Shinko Electric, assim como da Universidade de Tóquio, a iniciativa busca recolocar o Japão na liderança da cadeia de suprimentos de semicondutores essenciais, um setor que dominou nos anos 80 antes de ceder espaço à Coreia do Sul e Taiwan.

Hashtags: #Intel #ZAM #Memória #Tecnologia #DataCenters #Inovação #InteligênciaArtificial

[