Micron dá início à construção de megafábrica em Nova York, um grande passo para a produção de DRAM nos EUA

A nova fase da produção de memória nos Estados Unidos avança com o início da construção da megafábrica da Micron em Onondaga County, Nova York. A cerimônia de inauguração do terreno da Micron New York megafab está marcada para o dia 16 de janeiro, assinalando o início de um dos maiores investimentos privados da história do estado.

Este complexo industrial representa um investimento colossal de US$ 100 bilhões, sendo desenvolvido ao longo de duas décadas, com conclusão prevista para 2041. Quando estiver totalmente em operação, a fábrica contará com quatro módulos de fabricação, estabelecendo um marco importante para a indústria de semicondutores americana. A Micron projeta produzir 40% de suas memórias DRAM em solo americano até a década de 2040, um salto significativo em relação a praticamente nenhum percentual atualmente produzido nos Estados Unidos.

A cerimônia de inauguração ocorre após um rigoroso processo de análise ambiental e aprovações regulatórias que atrasaram o projeto em cerca de cinco anos. É interessante notar que essa cerimônia acontecerá antes da preparação real do terreno, algo incomum no setor, em que normalmente a inauguração se dá após essa etapa inicial.

De acordo com documentos oficiais, a preparação para o primeiro módulo (Fab 1) deve iniciar no final de 2025, com a construção começando no final de 2026 e seguindo até o segundo trimestre de 2028. Considerando o tempo necessário para equipar a instalação, a produção real está projetada para começar em 2030, cinco anos após o cronograma original.

### Um projeto monumental para a indústria americana

Cada uma das quatro instalações do complexo contará com uma sala limpa de 55.700 metros quadrados, superando em tamanho a Fab 8 da GlobalFoundries em Malta, Nova York, que possui aproximadamente 42.700 metros quadrados (embora esteja em expansão). O investimento inicial para o primeiro módulo é estimado em US$ 20 bilhões, e os módulos subsequentes devem custar ainda mais, com a Micron adotando ferramentas de litografia EUV mais modernas.

As novas instalações em Nova York complementarão a fábrica da Micron em Boise, Idaho, onde a construção do primeiro novo módulo (ID1) já foi finalizada e deverá iniciar a produção de wafers no segundo semestre de 2027, antes mesmo do primeiro módulo de Nova York entrar em operação.

Um diferencial estratégico para as instalações de Idaho é a sua proximidade com o centro de P&D da empresa, permitindo uma colaboração mais eficaz entre as equipes de integração de processos e os pesquisadores. Essa sinergia será essencial, principalmente devido ao foco atual da Micron na produção de memórias DDR5 de alta capacidade para servidores e memórias HBM (High-Bandwidth Memory) para aceleradores de IA, que demandam chips DRAM maiores e mais caros.

Atualmente, a Micron opera cinco fábricas de produção de wafers globalmente: duas de 3D NAND em Cingapura, uma de DRAM no Japão, próxima a Hiroshima, e duas de DRAM em Taiwan, perto de Taichung e Taoyuan. Além disso, a empresa mantém uma instalação de empacotamento HBM em Cingapura e planeja construir outro módulo no Japão, além de uma planta de montagem HBM nos Estados Unidos.

Os planos ambiciosos da Micron englobam um investimento de cerca de US$ 150 bilhões em seis módulos de fabricação nos EUA até 2045, além de destinar US$ 50 bilhões adicionais para pesquisa e desenvolvimento no mesmo período. Contudo, ainda não está claro se esse investimento em P&D será exclusivo para os Estados Unidos ou se será distribuído entre as instalações globais da empresa.

A cerimônia de inauguração em Nova York representa não apenas um marco na expansão da Micron nos Estados Unidos, mas também um passo fundamental no retorno da produção de memórias DRAM ao território americano, fortalecendo a cadeia de suprimentos de semicondutores do país em um momento geopolítico crítico para o setor.