Samsung, SK hynix e Micron começam a trabalhar no desenvolvimento da memória DDR6

Samsung, SK hynix e Micron estão avançando no desenvolvimento de substratos para a memória DDR6, mesmo antes da finalização dos padrões técnicos pelo conselho JEDEC. Segundo informações de discussões em fóruns e comunidades gamers, fabricantes de memória já solicitaram a fornecedores de substratos a criação de projetos com base em dados preliminares, que incluem detalhes sobre a espessura do componente, estrutura interna e circuitos.

A meta é produzir amostras de teste dois anos antes do lançamento comercial, previsto para ocorrer entre 2028 e 2029. Um representante da indústria de substratos confirmou que essa colaboração teve início recentemente, buscando garantir que a produção em massa não tenha surpresas de última hora.

A velocidade máxima esperada para o DDR6 é de 17,6 Gbps, o que é o dobro do limite planejado para o atual DDR5. Esse aumento de desempenho pode significar melhorias significativas para usuários que enfrentam gargalos em tarefas intensivas, como edição de vídeo e simulações de inteligência artificial, que dependem da largura de banda da memória. Entretanto, o custo para o consumidor ainda é uma incógnita, já que o DDR5 continua enfrentando pressão de preços devido à alta demanda por servidores de processamento neural.

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