Nova memória promete consumir metade da energia e superar a velocidade da HBM4!

A Intel e a Saimemory, uma subsidiária da SoftBank fundada em dezembro de 2024, estão trabalhando na Z-Angle Memory, ou ZAM. Essa nova memória empilhada em 3D com topologia diagonal promete dobrar a largura de banda da HBM4, além de ter um consumo de energia 40% a 50% menor.

Atualmente, o setor é dominado pela SK hynix, Samsung e Micron, que controlam o fornecimento e ditam os preços, criando uma dependência para qualquer fabricante de chips que deseja se destacar nesse mercado. A ZAM surge como uma alternativa: em vez de ser uma atualização da HBM, ela apresenta uma arquitetura inovadora com interconexões em ângulos diagonais entre suas oito camadas de DRAM, substituindo as conexões verticais tradicionais. Além disso, os pilares térmicos são projetados para dissipar o calor de maneira mais uniforme ao longo de toda a estrutura.

Cada camada da ZAM comporta 1,125 GB, totalizando 10 GB por stack e 30 GB por pacote completo. Para comparação, a HBM4 da Micron alcança 2,8 TB/s por stack, enquanto a ZAM pode projetar 5,3 TB/s, com uma densidade de banda de 0,25 TB/s por mm² em um footprint de 171 mm². A próxima geração, a HBM4E, promete até 4 TB/s, mas a ZAM superará essa marca.

O acordo formal para o desenvolvimento da ZAM foi assinado em 2 de fevereiro de 2026. O NEDO, uma agência japonesa de tecnologia, selecionou o projeto para subsídios no âmbito do programa Post-5G Infrastructure Enhancement, o que significa que parte do financiamento virá do governo japonês. Essa iniciativa visa reduzir a dependência do Japão de fornecedores coreanos de memória, com o RIKEN, principal instituto de pesquisa do Japão, atuando como parceiro na avaliação e integração do sistema.

Os primeiros protótipos funcionais estão programados para o ano fiscal de 2028, com produção em larga escala prevista para 2029. A Intel já apresentou um protótipo no Intel Connection Japan 2026, em fevereiro, demonstrando a arquitetura em funcionamento.

A ZAM será integrada ao EMIB (Embedded Multi-die Interconnect Bridge), a tecnologia avançada de empacotamento da Intel, o que indica que a memória foi desenvolvida para se encaixar no seu ecossistema, em vez de ser comercializada como um componente genérico. O objetivo final é criar uma memória que conecte camadas verticais e horizontais com fotônica de silício integrada, permitindo interconexões ópticas entre os chips em um único pacote.

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